近日，美光公司發(fā)布了業(yè)界首個具有232層的3D NAND閃存，并宣布該技術將會投入包括SSD在內的多種產品。

據(jù)悉，這種232層的3D NAND閃存采用3D TLC架構，原始容量為1Tb(128GB);芯片基于美光的CuA架構，并使用NAND的字符串堆疊技術。

CuA架構的設計，配合232層的高堆疊，有效減少了1Tb 3D TLC NAND閃存的芯片尺寸，有望降低產品的生產成本，提升競爭力。

美光目前并未宣布232層3D TLC NAND IC的I/O速度或平面數(shù)量，但從透露的信息來看，新的內存應該會提供更高的性能，這對采用PCIe 5.0接口的下一代SSD來說，無疑是一個好消息。

在具體的產品層面上，美光的技術和產品執(zhí)行副總裁Scott DeBoer稱，公司目前已經與第三方NAND控制器開發(fā)者達成合作，從而實現(xiàn)對新型內存的支持。

此外，美光表示，預計將在2022年底開始生產232層3D TLC NAND閃存，按此計劃，采用這種新技術的SSD應該會在明年與用戶見面。

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